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SIP（系统级封装， System in Package）是一种重要的半导体先进封装工艺，可将多种具备不同功能的器件或组合体——如有源器件、无源器件、MEMS、光电子甚至已经封装好的器件封装在一起，从而形成一个功能系统或者亚系统。与系统级芯片相对应，不同的是SIP是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式，而系统级芯片则是高度集成的芯片产品。而随着摩尔定律逼近物理极限， SIP被认为是半导体未来发展的重要方向，越来越受到业界的重视。

作为SIP的重要组成部分，微盲孔镀铜（孔径100~200μm，深径比1~2:1）是实现SIP中元器件电气互联的关键一环，但是当前尚未出现可以有效满足SIP微盲孔镀铜要求的工艺。现有微盲孔镀铜工艺主要包括硅通孔（TSV）和印制电路板（PCB）两种工艺。

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ജ硅通孔（TSV）技术水平就算能变现高妙径比盲孔（钻孔大小<50μm，深径比5~20:1）的镀铜，同时对仪器请求高，关键在于不断增加了封装类型盲孔镀铜施工施工工艺的代价。印章刻制电源电子元件（PCB）盲孔镀铜施工施工工艺就算仪器代价较低，但通常仅可用作低深径比的盲孔（钻孔大小100~200μm，深径比0.5~1:1）。

而万象城体育 科技正是针对这项技术痛点进行深入研究，通过优化现有PCB镀铜工艺和化学品配方，成功在高深径比的封装级盲孔中实现镀铜，并对其中的机理进行了研究。

研究从3个方面增加孔内物质交换能力，从而提高孔内底部种子层连续性。其一，增加传质（加热、超声、振动）；其二，增加溶液对基材表面的润湿（添加表面活性剂）；其三，增加盲孔底部润湿步骤📖，使深径比为1.5:1~2.0:1，孔径为100或150μm系统级封装微盲孔内部形成了连续的种子层铜，提高了盲孔底部的上镀率。

微盲孔填孔切块金相显微镜观察相片（钻孔大小为150μm，深径之比1.7~1.9:1）

这种新的镀铜技术良率高，可以适应形状复杂的微盲孔。此外，生长上种子层的盲孔（深径比1.5:1~2.0:1，孔径150μm）通过直流电镀铜的方法可以被成功填满金属铜。研究的结果为系统级封装的深盲孔金属化提供参考，也为高密度互联PCB的深盲孔金属化提供借鉴。

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